ਏਸੀ ਫਿਲਟਰਿੰਗ ਲਈ 2018 ਚੰਗੀ ਕੁਆਲਿਟੀ ਪਾਵਰ ਕੈਪਸੀਟਰ - ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ IGBT ਸਨਬਰ ਕੈਪਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE

2018 ਏਸੀ ਫਿਲਟਰਿੰਗ ਲਈ ਚੰਗੀ ਕੁਆਲਿਟੀ ਪਾਵਰ ਕੈਪਸੀਟਰ - ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ IGBT ਸਨਬਰ ਕੈਪਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE ਫੀਚਰਡ ਚਿੱਤਰ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਾਊਨਲੋਡ ਕਰੋ

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਸੰਬੰਧਿਤ ਵੀਡੀਓ

ਫੀਡਬੈਕ (2)

ਅਸੀਂ ਮਜ਼ਬੂਤ ਤਕਨੀਕੀ ਸ਼ਕਤੀ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੇ ਹਾਂ ਅਤੇ ਲਗਾਤਾਰ ਆਧੁਨਿਕ ਤਕਨਾਲੋਜੀਆਂ ਦੀ ਮੰਗ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਕਰਦੇ ਹਾਂਪਾਵਰ ਕੁਆਲਿਟੀ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਲਈ ਏਸੀ ਕੈਪੇਸੀਟਰ , ਡੀਫਿਬਰੀਲੇਟਰ ਲਈ ਕੈਪੀਸੀਟਰ , ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ਼ ਕਨਵਰਟਰ ਲਈ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ ਦੀ ਵਰਤੋਂ, ਸਾਨੂੰ ਵਿਸ਼ਵਾਸ ਹੈ ਕਿ ਤੁਸੀਂ ਸਾਡੀ ਵਾਜਬ ਕੀਮਤ, ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਾਲੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ ਡਿਲਿਵਰੀ ਤੋਂ ਸੰਤੁਸ਼ਟ ਹੋਵੋਗੇ.ਸਾਨੂੰ ਪੂਰੀ ਉਮੀਦ ਹੈ ਕਿ ਤੁਸੀਂ ਸਾਨੂੰ ਤੁਹਾਡੀ ਸੇਵਾ ਕਰਨ ਦਾ ਮੌਕਾ ਦੇ ਸਕਦੇ ਹੋ ਅਤੇ ਤੁਹਾਡਾ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਸਾਥੀ ਬਣ ਸਕਦੇ ਹੋ!

ਏਸੀ ਫਿਲਟਰਿੰਗ ਲਈ 2018 ਚੰਗੀ ਕੁਆਲਿਟੀ ਪਾਵਰ ਕੈਪਸੀਟਰ - ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ IGBT ਸਨਬਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE ਵੇਰਵਾ:

ਤਕਨੀਕੀ ਡਾਟਾ

ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ	ਅਧਿਕਤਮ। ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ।, ਸਿਖਰ, ਅਧਿਕਤਮ: +105℃ ਉੱਪਰੀ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: +85 ℃ ਹੇਠਲੀ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: -40 ℃
ਸਮਰੱਥਾ ਸੀਮਾ	0.1μF～5.6μF
ਰੇਟ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰੋ	1.5Un DC/10S
ਡਿਸਸੀਪਸ਼ਨ ਕਾਰਕ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਟਾਕਰੇ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S 'ਤੇ) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S ਤੇ)
ਹੜਤਾਲ ਕਰੰਟ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰੋ	ਡੇਟਾਸ਼ੀਟ ਵੇਖੋ
ਫਲੇਮ ਰਿਟਰਡੇਸ਼ਨ	UL94V-0
ਜ਼ਿੰਦਗੀ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ਹਵਾਲਾ ਮਿਆਰ	IEC61071;GB/T17702;

ਨਿਰਧਾਰਨ ਸਾਰਣੀ

ਵੋਲਟੇਜ	Un700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ਮਾਪ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ਵੋਲਟੇਜ	Un1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ਮਾਪ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200 ਹੈ	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750 ਹੈ	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200 ਹੈ	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵੇ ਦੀਆਂ ਤਸਵੀਰਾਂ:

ਸੰਬੰਧਿਤ ਉਤਪਾਦ ਗਾਈਡ:

ਅਸੀਂ ਉੱਤਮ ਵਪਾਰਕ ਉੱਦਮ ਸੰਕਲਪ, ਇਮਾਨਦਾਰ ਮਾਲੀਆ ਅਤੇ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਡੀ ਅਤੇ ਤੇਜ਼ ਸੇਵਾ ਦੇ ਨਾਲ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੀ ਰਚਨਾ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਨ 'ਤੇ ਜ਼ੋਰ ਦਿੰਦੇ ਹਾਂ।ਇਹ ਤੁਹਾਡੇ ਲਈ ਨਾ ਸਿਰਫ਼ ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਹੱਲ ਅਤੇ ਭਾਰੀ ਮੁਨਾਫ਼ਾ ਲਿਆਵੇਗਾ, ਸਗੋਂ ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਏਸੀ ਫਿਲਟਰਿੰਗ ਲਈ 2018 ਚੰਗੀ ਕੁਆਲਿਟੀ ਪਾਵਰ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਲਈ ਬੇਅੰਤ ਮਾਰਕੀਟ 'ਤੇ ਕਬਜ਼ਾ ਕਰਨਾ ਹੈ - ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ IGBT ਸਨਬਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE, ਉਤਪਾਦ ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਵਿੱਚ ਸਪਲਾਈ ਕਰੇਗਾ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ: ਸਲੋਵਾਕੀਆ, ਜਾਰਜੀਆ, ਯੂਕਰੇਨ, ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਨੂੰ ਵਿਦੇਸ਼ੀ ਗਾਹਕਾਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਮਾਨਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ, ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਨਾਲ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਅਤੇ ਸਹਿਯੋਗੀ ਸਬੰਧ ਸਥਾਪਿਤ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ।ਅਸੀਂ ਹਰੇਕ ਗਾਹਕ ਲਈ ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਸੇਵਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਾਂਗੇ ਅਤੇ ਸਾਡੇ ਨਾਲ ਕੰਮ ਕਰਨ ਅਤੇ ਮਿਲ ਕੇ ਆਪਸੀ ਲਾਭ ਸਥਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਦੋਸਤਾਂ ਦਾ ਦਿਲੋਂ ਸੁਆਗਤ ਕਰਾਂਗੇ।

ਏਸੀ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਕਸਟਮ-ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਕੀਤਾ ਏਸੀ ਕੈਪੇਸੀਟਰ

ਨਵਿਆਉਣਯੋਗ ਊਰਜਾ ਪ੍ਰਣਾਲੀਆਂ ਲਈ ਡੀਸੀ-ਲਿੰਕ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਐਕਸ-ਰੇ ਡਿਟੈਕਟਰ ਲਈ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਹਾਰਮੋਨਿਕ ਰੈਜ਼ੋਨੈਂਸ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਟੇਸਲਾ ਕੋਇਲ ਲਈ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਹਾਈ ਵੋਲਟੇਜ ਡੀਸੀ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਵਿਕਰੀ ਲਈ ਉਦਯੋਗਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਰੇਡੀਅਲ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਸਨਬਰ ਫਿਲਮ ਕੈਪੇਸੀਟਰ

ਇਹ ਨਿਰਮਾਤਾ ਉਤਪਾਦਾਂ ਅਤੇ ਸੇਵਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਅਤੇ ਸੰਪੂਰਨਤਾ ਰੱਖ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਇੱਕ ਪ੍ਰਤੀਯੋਗੀ ਕੰਪਨੀ, ਮਾਰਕੀਟ ਮੁਕਾਬਲੇ ਦੇ ਨਿਯਮਾਂ ਦੇ ਅਨੁਸਾਰ ਹੈ।

ਬੈਂਕਾਕ ਤੋਂ ਅਗਸਟਿਨ ਦੁਆਰਾ - 2017.09.29 11:19

ਕੰਪਨੀ ਕੋਲ ਅਮੀਰ ਸਰੋਤ, ਉੱਨਤ ਮਸ਼ੀਨਰੀ, ਤਜਰਬੇਕਾਰ ਕਰਮਚਾਰੀ ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸੇਵਾਵਾਂ ਹਨ, ਉਮੀਦ ਹੈ ਕਿ ਤੁਸੀਂ ਆਪਣੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਅਤੇ ਸੇਵਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਅਤੇ ਸੰਪੂਰਨ ਕਰਦੇ ਰਹੋ, ਤੁਹਾਡੀ ਬਿਹਤਰੀ ਦੀ ਕਾਮਨਾ ਕਰੋ!

ਈਰਾਨ ਤੋਂ ਨੀਨਾ ਦੁਆਰਾ - 2018.12.11 14:13