ਹਾਈ ਪਾਵਰਡ ਥਾਈਰਿਸਟਰ ਲਈ ਫੈਕਟਰੀ ਨੇ ਗਰਮ-ਸੇਲ ਸਨਬਰ ਬਣਾਇਆ - ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ IGBT ਸਨਬਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE

ਹਾਈ ਪਾਵਰਡ ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਲਈ ਫੈਕਟਰੀ ਨੇ ਗਰਮ-ਸੇਲ ਸਨਬਰ ਬਣਾਇਆ - ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ IGBT ਸਨਬਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE ਫੀਚਰਡ ਚਿੱਤਰ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਾਊਨਲੋਡ ਕਰੋ

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਸੰਬੰਧਿਤ ਵੀਡੀਓ

ਫੀਡਬੈਕ (2)

ਉਤਪਾਦਨ ਦੇ ਸਾਰੇ ਪੜਾਵਾਂ ਦੌਰਾਨ ਸਾਡੀਆਂ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਲੈਸ ਸੁਵਿਧਾਵਾਂ ਅਤੇ ਬੇਮਿਸਾਲ ਚੰਗੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦਾ ਪ੍ਰਬੰਧਨ ਸਾਨੂੰ ਖਰੀਦਦਾਰਾਂ ਦੀ ਕੁੱਲ ਸੰਤੁਸ਼ਟੀ ਦੀ ਗਰੰਟੀ ਦੇਣ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈਵੈਲਡਿੰਗ ਇਨਵਰਟਰ ਡੀਸੀ ਲਿੰਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ , Abb ਇਨਵਰਟਰ ਲਈ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ , ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਕੈਪਸੀਟਰ, ਇਸ ਲਈ, ਅਸੀਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਗਾਹਕਾਂ ਤੋਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪੁੱਛਗਿੱਛਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਾਂ.ਕਿਰਪਾ ਕਰਕੇ ਸਾਡੇ ਉਤਪਾਦਾਂ ਤੋਂ ਹੋਰ ਜਾਣਕਾਰੀ ਦੀ ਜਾਂਚ ਕਰਨ ਲਈ ਸਾਡੀ ਵੈੱਬਸਾਈਟ ਲੱਭੋ।

ਹਾਈ ਪਾਵਰਡ ਥਾਈਰੀਸਟਰ ਲਈ ਫੈਕਟਰੀ ਨੇ ਹਾਟ-ਸੇਲ ਸਨਬਰ - ਹਾਈ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਹਾਈ-ਕਲਾਸ ਆਈਜੀਬੀਟੀ ਸਨਬਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE ਵੇਰਵਾ:

ਤਕਨੀਕੀ ਡਾਟਾ

ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ	ਅਧਿਕਤਮ। ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ।, ਸਿਖਰ, ਅਧਿਕਤਮ: +105℃ ਉੱਪਰੀ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: +85 ℃ ਹੇਠਲੀ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: -40 ℃
ਸਮਰੱਥਾ ਸੀਮਾ	0.1μF～5.6μF
ਰੇਟ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰੋ	1.5Un DC/10S
ਡਿਸਸੀਪਸ਼ਨ ਕਾਰਕ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਟਾਕਰੇ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S 'ਤੇ) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S ਤੇ)
ਹੜਤਾਲ ਕਰੰਟ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰੋ	ਡੇਟਾਸ਼ੀਟ ਵੇਖੋ
ਫਲੇਮ ਰਿਟਰਡੇਸ਼ਨ	UL94V-0
ਜ਼ਿੰਦਗੀ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
ਹਵਾਲਾ ਮਿਆਰ	IEC61071;GB/T17702;

ਨਿਰਧਾਰਨ ਸਾਰਣੀ

ਵੋਲਟੇਜ	Un700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	ਮਾਪ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ਵੋਲਟੇਜ	Un1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	ਮਾਪ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200 ਹੈ	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750 ਹੈ	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ਵੋਲਟੇਜ	Un3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200 ਹੈ	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ਉਤਪਾਦ ਵੇਰਵੇ ਦੀਆਂ ਤਸਵੀਰਾਂ:

ਸੰਬੰਧਿਤ ਉਤਪਾਦ ਗਾਈਡ:

ਸਾਡਾ ਇਰਾਦਾ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਆਪਣੇ ਖਰੀਦਦਾਰਾਂ ਨੂੰ ਸੁਨਹਿਰੀ ਪ੍ਰਦਾਤਾ, ਵਧੀਆ ਦਰ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸ਼ਕਤੀ ਵਾਲੇ ਥਾਈਰਿਸਟਰ ਲਈ ਫੈਕਟਰੀ ਦੁਆਰਾ ਬਣਾਈ ਗਈ ਹੌਟ-ਸੇਲ ਸਨਬਰ ਲਈ ਚੰਗੀ ਕੁਆਲਿਟੀ ਦੀ ਪੇਸ਼ਕਸ਼ ਕਰਕੇ ਸੰਤੁਸ਼ਟ ਕਰਨਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ - ਉੱਚ ਪਾਵਰ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਉੱਚ-ਸ਼੍ਰੇਣੀ IGBT ਸਨਬਰ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਡਿਜ਼ਾਈਨ - CRE, ਉਤਪਾਦ ਸਾਰਿਆਂ ਨੂੰ ਸਪਲਾਈ ਕਰੇਗਾ। ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਵਿੱਚ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ: ਮੋਨਾਕੋ, ਪੁਰਤਗਾਲ, ਮਾਂਟਰੀਅਲ, ਸਾਡੇ ਕੋਲ 20 ਤੋਂ ਵੱਧ ਦੇਸ਼ਾਂ ਦੇ ਗਾਹਕ ਹਨ ਅਤੇ ਸਾਡੀ ਸਾਖ ਨੂੰ ਸਾਡੇ ਮਾਣਯੋਗ ਗਾਹਕਾਂ ਦੁਆਰਾ ਮਾਨਤਾ ਦਿੱਤੀ ਗਈ ਹੈ।ਕਦੇ ਨਾ ਖ਼ਤਮ ਹੋਣ ਵਾਲਾ ਸੁਧਾਰ ਅਤੇ 0% ਦੀ ਕਮੀ ਲਈ ਯਤਨ ਕਰਨਾ ਸਾਡੀਆਂ ਦੋ ਮੁੱਖ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੀਤੀਆਂ ਹਨ।ਜੇ ਤੁਹਾਨੂੰ ਕਿਸੇ ਚੀਜ਼ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੈ, ਤਾਂ ਸਾਡੇ ਨਾਲ ਸੰਪਰਕ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਸੰਕੋਚ ਨਾ ਕਰੋ।

ਏਸੀ ਫਿਲਟਰ ਰੇਲ ਟ੍ਰੈਕਸ਼ਨ ਪਾਵਰ ਸਿਸਟਮ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ

ਉਦਯੋਗਿਕ ਇਨਵਰਟਰਾਂ ਲਈ ਡੀਸੀ-ਲਿੰਕ ਕੈਪਸੀਟਰ

ਡਰਾਈ ਟਾਈਪ ਫਿਲਮ ਕੈਪੇਸੀਟਰ

ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ ਫੈਕਟਰੀ