ਵੈਲਡਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨ (SMJ-TC) ਲਈ ਉੱਚ-ਮੌਜੂਦਾ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ ਸਨਬਰ

ਵੈਲਡਿੰਗ ਮਸ਼ੀਨ (SMJ-TC) ਫੀਚਰਡ ਚਿੱਤਰ ਲਈ ਉੱਚ-ਮੌਜੂਦਾ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ ਸਨਬਰ

ਛੋਟਾ ਵਰਣਨ:

ਕੈਪਸੀਟਰ ਮਾਡਲ: SMJ-TC

ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ:

1. ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਗਿਰੀਦਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਸ

2. ਛੋਟਾ ਭੌਤਿਕ ਆਕਾਰ ਅਤੇ ਆਸਾਨ ਇੰਸਟਾਲੇਸ਼ਨ

3. ਮਾਈਲਰ ਟੇਪ ਵਾਇਨਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ

4. ਸੁੱਕੀ ਰਾਲ ਭਰਨਾ

5. ਘੱਟ ਬਰਾਬਰ ਸੀਰੀਜ਼ ਇੰਡਕਟੈਂਸ (ESL) ਅਤੇ ਬਰਾਬਰ ਸੀਰੀਜ਼ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ (ESR)

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:

1. ਜੀਟੀਓ ਸਨਬਰ

2. ਪੀਕ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਪੀਕ ਵਰਤਮਾਨ ਸਮਾਈ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਨਾਂ ਵਿੱਚ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਬਦਲਣ ਲਈ ਸੁਰੱਖਿਆ

ਸਵਿਚਿੰਗ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿੱਚ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਡਾਇਡਾਂ ਲਈ ਸਨਬਰ ਸਰਕਟ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹਨ।ਇਹ ਇੱਕ ਡਾਇਓਡ ਨੂੰ ਓਵਰਵੋਲਟੇਜ ਸਪਾਈਕਸ ਤੋਂ ਬਚਾ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਰਿਵਰਸ ਰਿਕਵਰੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਪੈਦਾ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਸਾਨੂੰ ਈਮੇਲ ਭੇਜੋ PDF ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਡਾਊਨਲੋਡ ਕਰੋ

ਉਤਪਾਦ ਦਾ ਵੇਰਵਾ

ਉਤਪਾਦ ਟੈਗ

ਤਕਨੀਕੀ ਡਾਟਾ

ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ ਸੀਮਾ	ਅਧਿਕਤਮ. ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਤਾਪਮਾਨ., ਸਿਖਰ, ਅਧਿਕਤਮ: + 85 ℃ ਉੱਚ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: +85 ℃ ਹੇਠਲੀ ਸ਼੍ਰੇਣੀ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ: -40 ℃
ਸਮਰੱਥਾ ਸੀਮਾ	0.22～3μF
ਰੇਟ ਕੀਤੀ ਵੋਲਟੇਜ	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
ਵੋਲਟੇਜ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰੋ	1.35Un DC/10S
ਡਿਸਸੀਪਸ਼ਨ ਕਾਰਕ	tgδ≤0.001 f=1KHz
ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਟਾਕਰੇ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S 'ਤੇ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S 'ਤੇ)
ਹੜਤਾਲ ਕਰੰਟ ਦਾ ਸਾਮ੍ਹਣਾ ਕਰੋ	ਡੇਟਾਸ਼ੀਟ ਵੇਖੋ
ਜ਼ਿੰਦਗੀ ਦੀ ਸੰਭਾਵਨਾ	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
ਹਵਾਲਾ ਮਿਆਰ	IEC 61071 ;

ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ

1. ਮਾਈਲਰ ਟੇਪ, ਰਾਲ ਨਾਲ ਸੀਲ;

2. ਕਾਪਰ ਗਿਰੀ ਲੀਡ;

3. ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ, ਘੱਟ tgδ, ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ ਵਧਣ ਦਾ ਵਿਰੋਧ;

4. ਘੱਟ ESL ਅਤੇ ESR;

5. ਉੱਚ ਪਲਸ ਕਰੰਟ.

ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ

1. ਜੀਟੀਓ ਸਨਬਰ।

2. ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਸਾਜ਼ੋ-ਸਾਮਾਨ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਪੀਕ ਵੋਲਟੇਜ, ਪੀਕ ਮੌਜੂਦਾ ਸਮਾਈ ਸੁਰੱਖਿਆ.

ਆਮ ਸਰਕਟ

ਰੂਪਰੇਖਾ ਡਰਾਇੰਗ

ਨਿਰਧਾਰਨ

Un=3000V.DC
ਸਮਰੱਥਾ (μF)	φD (ਮਿਲੀਮੀਟਰ)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
ਸਮਰੱਥਾ (μF)	φD (ਮਿਲੀਮੀਟਰ)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
ਸਮਰੱਥਾ (μF)	φD (ਮਿਲੀਮੀਟਰ)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
ਸਮਰੱਥਾ (μF)	φD (ਮਿਲੀਮੀਟਰ)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
ਸਮਰੱਥਾ (μF)	φD (ਮਿਲੀਮੀਟਰ)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70