ਔਰਗਨੋਮੈਟਲਿਕ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦਾ ਸਭ ਤੋਂ ਵੱਡਾ ਫਾਇਦਾ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਉਹ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਹਨ, ਜੋ ਕਿ ਇਹਨਾਂ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਨੂੰ ਅੱਜ ਸਭ ਤੋਂ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧ ਰਹੇ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਮੈਟਲਾਈਜ਼ਡ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਦੇ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਲਈ ਦੋ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਵਿਧੀਆਂ ਹਨ: ਇੱਕ ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਹੈ;ਦੂਜਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਹੈ।ਸਾਬਕਾ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਇਸਨੂੰ ਉੱਚ-ਵੋਲਟੇਜ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਵੀ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ;ਕਿਉਂਕਿ ਬਾਅਦ ਵਾਲਾ ਵੀ ਬਹੁਤ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਸ ਨੂੰ ਅਕਸਰ ਘੱਟ-ਵੋਲਟੇਜ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।

ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ

ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਦੀ ਵਿਧੀ ਨੂੰ ਦਰਸਾਉਣ ਲਈ, ਇਹ ਮੰਨ ਲਓ ਕਿ ਆਰ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਵਾਲੇ ਦੋ ਧਾਤੂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਜੈਵਿਕ ਫਿਲਮ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਨੁਕਸ ਹੈ। ਨੁਕਸ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਤੀ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ, ਇਹ ਇੱਕ ਧਾਤੂ ਨੁਕਸ, ਇੱਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਜਾਂ ਮਾੜਾ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ। ਇੰਸੂਲੇਟਡ ਨੁਕਸ.ਸਪੱਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਜਦੋਂ ਨੁਕਸ ਪੁਰਾਣੇ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ, ਤਾਂ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਘੱਟ ਵੋਲਟੇਜ 'ਤੇ ਆਪਣੇ ਆਪ ਨੂੰ ਡਿਸਚਾਰਜ ਕਰ ਦੇਵੇਗਾ।ਇਹ ਸਿਰਫ ਬਾਅਦ ਵਾਲੇ ਕੇਸ ਵਿੱਚ ਹੈ ਕਿ ਅਖੌਤੀ ਉੱਚ ਵੋਲਟੇਜ ਡਿਸਚਾਰਜ ਆਪਣੇ ਆਪ ਨੂੰ ਠੀਕ ਕਰਦਾ ਹੈ.

ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਇੱਕ ਧਾਤੂ ਫਿਲਮ ਕੈਪੇਸੀਟਰ ਵਿੱਚ ਵੋਲਟੇਜ V ਨੂੰ ਲਾਗੂ ਕਰਨ ਤੋਂ ਤੁਰੰਤ ਬਾਅਦ, ਇੱਕ ਓਮਿਕ ਕਰੰਟ I=V/R ਨੁਕਸ ਵਿੱਚੋਂ ਲੰਘਦਾ ਹੈ।ਇਸਲਈ, ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ J=V/Rπr2 ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਿੱਚੋਂ ਵਹਿੰਦੀ ਹੈ, ਭਾਵ, ਨੁਕਸ ਦੇ ਖੇਤਰ ਦੇ ਨੇੜੇ (ਜਿੰਨਾ ਛੋਟਾ r ਹੈ) ਅਤੇ ਇਸਦੀ ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਅੰਦਰ ਜਿੰਨੀ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੈ।ਨੁਕਸ ਪਾਵਰ ਖਪਤ W=(V2/R)r ਦੇ ਕਾਰਨ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਜੂਲ ਗਰਮੀ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਇੱਕ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਜਾਂ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਨੁਕਸ ਦਾ ਵਿਰੋਧ R ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਘਟਦਾ ਹੈ।ਇਸਲਈ, ਮੌਜੂਦਾ I ਅਤੇ ਬਿਜਲੀ ਦੀ ਖਪਤ W ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਧਦੀ ਹੈ, ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ, ਮੌਜੂਦਾ ਘਣਤਾ J1= J=V/πr12 ਉਸ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵੱਧਦੀ ਹੈ ਜਿੱਥੇ ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ਡ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਨੁਕਸ ਦੇ ਬਹੁਤ ਨੇੜੇ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸਦੀ ਜੂਲ ਤਾਪ ਧਾਤੂ ਨੂੰ ਪਿਘਲ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਪਰਤ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਚਾਪ ਇੱਥੇ ਉੱਡਦਾ ਹੈ।ਚਾਪ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਭਾਫ਼ ਬਣ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਪਿਘਲੀ ਹੋਈ ਧਾਤ ਨੂੰ ਸੁੱਟ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਧਾਤ ਦੀ ਪਰਤ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਇੱਕ ਇੰਸੂਲੇਟਿਡ ਆਈਸੋਲੇਸ਼ਨ ਜ਼ੋਨ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।ਚਾਪ ਬੁਝ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਹੁੰਦਾ ਹੈ.

ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਦੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵਿੱਚ ਉਤਪੰਨ ਜੂਲ ਗਰਮੀ ਅਤੇ ਚਾਪ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਨੁਕਸ ਦੇ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਅਤੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਸਤਹ ਦੇ ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਆਈਸੋਲੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਲਾਜ਼ਮੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਥਰਮਲ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਨੁਕਸਾਨ ਦੁਆਰਾ ਨੁਕਸਾਨ ਪਹੁੰਚਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸ ਤਰ੍ਹਾਂ ਰਸਾਇਣਕ ਸੜਨ, ਗੈਸੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਅਤੇ ਕਾਰਬਨਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ, ਅਤੇ ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਮਕੈਨੀਕਲ ਨੁਕਸਾਨ ਹੁੰਦਾ ਹੈ.

ਉਪਰੋਕਤ ਤੋਂ, ਇੱਕ ਸੰਪੂਰਨ ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਨੁਕਸ ਦੇ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਇੱਕ ਢੁਕਵਾਂ ਸਥਾਨਕ ਵਾਤਾਵਰਣ ਯਕੀਨੀ ਬਣਾਉਣਾ ਜ਼ਰੂਰੀ ਹੈ, ਇਸਲਈ ਮੈਟਲਾਈਜ਼ਡ ਆਰਗੈਨਿਕ ਫਿਲਮ ਕੈਪਸੀਟਰ ਦੇ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਕਰਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੈ ਤਾਂ ਜੋ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਇੱਕ ਉਚਿਤ ਮਾਧਿਅਮ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕੇ। ਨੁਕਸ, ਮੈਟਲਾਈਜ਼ਡ ਪਰਤ ਦੀ ਇੱਕ ਢੁਕਵੀਂ ਮੋਟਾਈ, ਇੱਕ ਹਰਮੇਟਿਕ ਵਾਤਾਵਰਣ, ਅਤੇ ਇੱਕ ਢੁਕਵੀਂ ਕੋਰ ਵੋਲਟੇਜ ਅਤੇ ਸਮਰੱਥਾ।ਅਖੌਤੀ ਸੰਪੂਰਨ ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਹੈ: ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਦਾ ਸਮਾਂ ਬਹੁਤ ਛੋਟਾ ਹੈ, ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ ਛੋਟੀ ਹੈ, ਨੁਕਸਾਂ ਦਾ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਅਲੱਗ-ਥਲੱਗ ਹੈ, ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਦੇ ਡਾਈਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਨੂੰ ਕੋਈ ਨੁਕਸਾਨ ਨਹੀਂ ਹੈ।ਚੰਗੀ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਜੈਵਿਕ ਫਿਲਮ ਦੇ ਅਣੂਆਂ ਵਿੱਚ ਕਾਰਬਨ ਅਤੇ ਹਾਈਡ੍ਰੋਜਨ ਪਰਮਾਣੂਆਂ ਦਾ ਇੱਕ ਘੱਟ ਅਨੁਪਾਤ ਅਤੇ ਆਕਸੀਜਨ ਦੀ ਇੱਕ ਮੱਧਮ ਮਾਤਰਾ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਜਦੋਂ ਫਿਲਮ ਦੇ ਅਣੂਆਂ ਦਾ ਸੜਨ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਡਿਸਚਾਰਜ ਵਿੱਚ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਕੋਈ ਕਾਰਬਨ ਪੈਦਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਨਵੇਂ ਸੰਚਾਲਕ ਮਾਰਗਾਂ ਦੇ ਗਠਨ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ ਕੋਈ ਕਾਰਬਨ ਜਮ੍ਹਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ, ਸਗੋਂ ਗੈਸ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ ਵਾਧੇ ਨਾਲ ਚਾਪ ਨੂੰ ਬੁਝਾਉਣ ਲਈ CO2, CO, CH4, C2H2 ਅਤੇ ਹੋਰ ਗੈਸਾਂ ਪੈਦਾ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ।
ਇਹ ਸੁਨਿਸ਼ਚਿਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਿ ਨੁਕਸ ਦੇ ਆਲੇ ਦੁਆਲੇ ਦੇ ਮੀਡੀਆ ਨੂੰ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵੇਲੇ ਨੁਕਸਾਨ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ, ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ ਬਹੁਤ ਵੱਡੀ ਨਹੀਂ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ, ਪਰ ਇਹ ਵੀ ਬਹੁਤ ਛੋਟੀ ਨਹੀਂ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ, ਨੁਕਸ ਦੇ ਦੁਆਲੇ ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਪਰਤ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਲਈ, ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਦਾ ਗਠਨ (ਉੱਚ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ) ਜ਼ੋਨ, ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਨੁਕਸ ਨੂੰ ਅਲੱਗ ਕੀਤਾ ਜਾਵੇਗਾ.ਸਪੱਸ਼ਟ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਲੋੜੀਂਦੀ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਪਰਤ, ਮੋਟਾਈ ਅਤੇ ਵਾਤਾਵਰਣ ਦੀ ਧਾਤ ਨਾਲ ਨੇੜਿਓਂ ਸਬੰਧਤ ਹੈ।ਇਸ ਲਈ, ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਵਾਲੀ ਊਰਜਾ ਨੂੰ ਘਟਾਉਣ ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ, ਘੱਟ ਪਿਘਲਣ ਵਾਲੇ ਬਿੰਦੂ ਵਾਲੀਆਂ ਧਾਤਾਂ ਵਾਲੀਆਂ ਜੈਵਿਕ ਫਿਲਮਾਂ ਦਾ ਧਾਤੂਕਰਨ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਧਾਤੂਕਰਨ ਪਰਤ ਅਸਮਾਨ ਮੋਟੀ ਅਤੇ ਪਤਲੀ ਨਹੀਂ ਹੋਣੀ ਚਾਹੀਦੀ, ਖਾਸ ਕਰਕੇ ਖੁਰਚਿਆਂ ਤੋਂ ਬਚਣ ਲਈ, ਨਹੀਂ ਤਾਂ , ਇਨਸੂਲੇਸ਼ਨ ਆਈਸੋਲੇਸ਼ਨ ਖੇਤਰ ਸ਼ਾਖਾ ਵਰਗਾ ਬਣ ਜਾਵੇਗਾ ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਸਵੈ-ਇਲਾਜ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਅਸਫਲ ਹੋ ਜਾਵੇਗਾ।CRE ਕੈਪਸੀਟਰ ਸਾਰੇ ਨਿਯਮਤ ਫਿਲਮਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਉਸੇ ਸਮੇਂ ਸਖਤ ਇਨਕਮਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਨਿਰੀਖਣ ਪ੍ਰਬੰਧਨ, ਦਰਵਾਜ਼ੇ 'ਤੇ ਨੁਕਸਦਾਰ ਫਿਲਮਾਂ ਨੂੰ ਰੋਕਦੇ ਹਨ, ਤਾਂ ਜੋ ਕੈਪੀਸੀਟਰ ਫਿਲਮਾਂ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦੀ ਪੂਰੀ ਗਾਰੰਟੀ ਹੋਵੇ।

ਡਿਸਚਾਰਜ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਕਰਨ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਕ ਹੋਰ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਸਵੈ-ਚੰਗਾ ਹੈ।ਆਓ ਅਗਲੇ ਲੇਖ ਵਿਚ ਇਸ ਵਿਧੀ ਬਾਰੇ ਚਰਚਾ ਕਰੀਏ।